【登录查看】基功率电子材料和器件研究，目前承担了国家重点研发计划，国家自然基金委重点基金项目中有关GaN功率电子材料和器件的研究任务，其中包含目前GaN功率电子器件的关键瓶颈问题：电流崩塌机理和漏电机理研究。GaN的宽禁带特性决定了其高功率的工作环境，其电流崩塌效应往往发生在高电压、大电流的工作条件。为实现上述研究目的，需要一种系统能同时满足高电压（3kV）大电流（40A）测试条件快速切换的模块和夹具。同时，和电流崩塌机理相关的漏电机制测量需要配置4个源/监测单元提供四通道测试能力（分别对应源、漏、栅、接地4个通...