【登录查看】/GaN单晶方面的研究,目前承担了氮化物单晶晶片的研究任务。研究需要实现2英寸氮化铝单晶衬底的研制,在研究的过程中,需要利用“金刚线多线切割系统”来实现用HVPE方法和PVT方法生长出的AlN晶体无断裂地切割,从而得厚度均匀的晶片,并保证能切割小尺寸且外形不规则(不能滚圆)晶体,而要实现这些目的,就需要“金刚线多线切割系统”具备1)切割过程中金刚线张力要求始终受控,张力波动始终小于+-【登录查看】N;2)线网定位精度必须能控制,斜面入切时,厚度均匀性≤【登录查看】mm。垂直面入切时,厚度均匀性≤【登录查看】m...
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