【登录查看】基宽禁带半导体材料及先进光电器件方面的研究。目前承担了国家重点研发计划《基于极低维AlGaInN纳米异质结构的新型高效紫外光源和激光器件研究》、《氮化物半导体新结构材料和新功能器件研究》等研究任务。研究需要实现大功率密度、高发光强度、高使用寿命的蓝光光源及紫外光源，需要利用超高晶体质量、位错密度在104cm-2量级的定制GaN衬底，来提高制备的GaN基光电器件的功率密度和使用寿命两个量级以上。经过调研，目前只有波兰GaNLabsp.ZO.O.公司可以提供该种高质量GaN衬底，特申请单一来源的方式进行采购。征求意见期...